会议简介

金属氧化物半导体材料，比如氧化锌(ZnO)、氧化镓（Ga₂O₃）、二氧化锡(SnO₂)等，作为极具代表性的宽禁带半导体材料，在激子型高效紫外发光和激光、紫外-日盲光电探测、传感等领域具备得天独厚的独特优势。经过多年发展，人们对ZnO及相关的光、电、磁、压电及催化等特性的理解不断深入，相关材料的制备、器件工艺、应用等研究领域不断拓展，已经涵盖了光电子、微电子、能源、信息传感、生态环境、生物医用等若干领域，带动了相关半导体材料的蓬勃发展。此外，金属氧化物宽带隙半导体相关的透明导电薄膜、薄膜晶体管、功率器件等更是在光电集成、光电融合等领域大规模应用。

全国氧化锌及相关材料学术会议是在全国氧化锌学术会议的基础上，是由中国物理学会发光分会主办的专注于金属氧化物宽带隙半导体材料与器件科学研究进展交流的全国性重要会议。自2003年起，每两年举办一次，先后在海口、南京、浙江、长春、深圳、厦门、昆明、南宁及镇江等城市举行。第十届全国氧化锌及相关材料学术会议将由南京航空航天大学和南京理工大学联合承办，拟定于2024年4月19-21日在南京航空航天大学明故宫校区召开。